%0 Journal Article
%T INTRODUCTION OF Ce INTO Si AND THE DIFFUSION COEFFICIENT OF Ce IN Si<br>稀土元素Ce热引入Si单晶中及Ce在Si中的扩散系数
%A FU CHUN-YIN
%A LU YONG-LING
%A ZENG SHU-RONG
%A <br>傅春寅
%A 鲁永令
%A 曾树荣
%J 物理学报
%D 1989
%I 
%X 利用真空淀积和真空热处理(1050℃,20h)向Si单晶中引入了稀土元素Ce,热处理过程中Ce首先与Si形成合金,然后向Si中扩散,于是在Si中形成Ce的扩散层。用二次离子质谱(SIMS)技术测定了Ce的纵向相对浓度分布,并据此分析了Ce在Si中的扩散系数。并在77—450K范围内测量了扩散层的平均电导率。
%K 金属硅化物
%K 稀土元素
%K Ce
%K 扩散
%K VLSI
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=9980150F11AD8C7CC1536CE579724709&yid=1833A6AA51F779C1&vid=16D8618C6164A3ED&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=39F2A646778CAD6A&eid=B08191F41006DCF9&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0