%0 Journal Article
%T Silicon nitride films prepared by helicon wave plasam-enhanced chemical vapour deposition<br>螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜
%A Yu Wei
%A Liu Li-Hui
%A Hou Hai-Hong
%A Ding Xue-Cheng
%A Han Li
%A Fu Guang-Sheng
%A <br>于 威
%A 刘丽辉
%A 侯海虹
%A 丁学成
%A 韩 理
%A 傅广生
%J 物理学报
%D 2003
%I 
%X 利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术，以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅(SiN)薄膜沉积，并研究了实验参量对薄膜特性的影响.利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率等参量进行了测量.结果表明，采用HWP-CVD技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速率制备低H含量的SiN薄膜，所沉积的薄膜主要表现为Si—N键合结构.采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积速率，并使薄膜的致密性增加.适当提高N2/SiH4比例有利于薄膜中H含量的降低.
%K helicon wave plasma
%K chemical vapour deposition
%K silicon nitride films<br>螺旋波等离子体，
%K 化学气相沉积，
%K 氮化硅薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7B7AA51AC0416E2C&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=286FB2D22CF8D013&iid=38B194292C032A66&sid=F4C2D192FB73A21F&eid=09F7C8D609E885AE&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=7&reference_num=19