%0 Journal Article
%T COMPARATIVE STUDY ON PHOTOLUMINESCENCE FROM Si-CONTAINING SILICON OXIDE FILMS AND Ge-CONTAINING SILICON OXIDE FILMS<br>含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究
%A MA SHU-YI
%A QIN GUO-GANG
%A YOU LI-PING
%A WANG YIN-YUE
%A <br>马书懿
%A 秦国刚
%A 尤力平
%A 王印月
%J 物理学报
%D 2001
%I 
%X 分别以硅-二氧化硅和锗-二氧化硅复合靶作为溅射靶,采用磁控溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米硅的氧化硅薄膜和含纳米锗的氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至1100℃不同温度的退火处理.使用高分辨透射电子显微镜可以观察到经900和1100℃退火的含纳米硅的氧化硅薄膜中的纳米硅粒,和经900和1100℃退火的含纳米锗的氧化硅薄膜中的纳米锗粒.经过不同温度退火处理的含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光致发光谱均具有相似的峰型,且它们的发光峰位均位于580nm(2.1eV)附近.可以认为含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光发射主要来自于SiO2层中发光中心上的复合发光,对实验结果进行了合理的解释
%K photoluminescence
%K nanometer Si
%K nanometer Ge
%K luminescence center<br>光致发光
%K 纳米硅
%K 纳米锗
%K 发光中心
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=002F26A75E6A25833726B9700235EE16&yid=14E7EF987E4155E6&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=5D311CA918CA9A03&sid=393263B6B7532F22&eid=5A9F02B7D2F9BAD8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=6