%0 Journal Article
%T PHOTOLUMINESCENCE STUDY FOR NANOMETER Ge PARTICLES EMBEDDED Si OXIDE FILMS<br>含纳米锗粒二氧化硅薄膜的光致发光研究
%A MA SHU-YI
%A ZHANG BUO-RUI
%A QIN GUO-GANG
%A HAN HE-XIANG
%A WANG ZHAO-PING
%A LI GUO-HUA
%A MA ZHEN-CHANG
%A ZONG WAN-HUA
%A <br>马书懿
%A 张伯蕊
%A 秦国刚
%A 韩和相
%A 汪兆平
%A 李国华
%A 马振昌
%A 宗婉华
%J 物理学报
%D 1998
%I 
%X 以锗-二氧化硅(GSO)复合靶作为溅射靶，改变靶上锗与总靶面积比为0%，5%和10%，用射频磁控溅射方法在p型硅衬底上淀积了含锗量不同的三种二氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至900℃不同温度的退火处理.通过对样品所作Raman散射光谱的分析，发现随着锗在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纳米锗粒的平均尺寸在增大.确定出随着退火温度由600℃升高到900℃，GSO(5%)样品中纳米锗粒的平均直径由5.4nm增至9.5nm.含纳米锗粒大小不同的二氧化硅薄膜的光致发光谱中都存在位于2.1eV
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0A415AF842DA0CCCC1655C5DB8A3DE29&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=F4B561950EE1D31A&iid=38B194292C032A66&sid=51F9E747BA1ACB45&eid=B7B25E832E7F23D8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0