%0 Journal Article
%T 纳米硅薄膜退火特性
%A 余明斌
%A 何宇亮
%A 刘洪涛
%A 罗晋生
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度T_a与ac-Si:H薄膜光学带隙E_g~(o
%K 硅薄膜
%K 纳米
%K 退火性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C369C51AADA71F3954&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=E158A972A605785F&sid=20ED669EB429E15C&eid=46C2A519EDDA03DD&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=8&reference_num=4