%0 Journal Article
%T THE PLANAR HALL EFFECT AND THE MAGNETORESISTANCE EFFECT IN THE AMORPHOUS SOFT MAGNETIC FILM Fe90-xCoxZr10<br>非晶态软磁薄膜Fe90-xCoxZr10的平面霍耳效应和磁阻效应
%A ZHANG WEN-XING
%A CHENG XIAN-AN
%A WANG XV-WEI
%A WANG YIN-JUN
%A <br>张文兴
%A 程先安
%A 王绪威
%A 王荫君
%J 物理学报
%D 1987
%I 
%X 本文研究了非易态软磁薄膜Fe90-xCoxZr10的平面霍耳电压及磁阻随磁场方向、成分和温度的变化规律。采用通常的六探针法进行了测量。结果表明平面霍耳电压和磁阻分别满足经验公式Vy=pM2Isin2θ和△ρ=cM2cos2θ;并给出了Vy表达式中的常数项p正比于ρ2。此外,样品Co90Zr10和样品Fe70Co20Zr10晶化前后的Vy变化正好相反,即富钴成分的样品晶化后,Vy增加,而富铁成分的样品Vy下降。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=09F7AAFDA1B5C358D7A241B5523BC43D&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=933658645952ED9F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=D4A72ABDCEDCE1BD&eid=114891522AE71A91&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0