%0 Journal Article
%T 形成半导体量子线结构的质子注入方法研究
%A 吴正云
%A 黄启圣
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 用20keV的质子(H~+)注入到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱,经快速退火,促使势垒上的Al向量子阱内扩散,尝试制备了线宽从0.5μm到0.1μm的量子线结构.由低温(14K)下阴极射线发光谱测量,观察到量子线中发光谱峰的蓝移,并通过与理论计算比较,讨论注入区内外Al的内扩散及掩膜区边缘横向离散的影响.
%K 量子线结构
%K 质子注入
%K 量子阱
%K 砷化镓
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C332F4F02AADCA2DFA&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=7A62566A3C1FFBE1&eid=819029E276C005ED&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=1