%0 Journal Article
%T 多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用
%A 潘必才
%A 夏上达
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。
%K 硅
%K 多孔硅
%K 杂质
%K 掺杂
%K B杂质
%K P杂质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C3ABD2AA2BBA2308FF&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=94C357A881DFC066&sid=04EA291949415E08&eid=9409F3EB075DCD5B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2