%0 Journal Article
%T δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究
%A 沈文忠
%A 唐文国
%A 沈学础
%A A.Dimoulas
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。
%K 赝形异质结
%K 电子迁移率
%K InGaAs
%K 砷化镓
%K 晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C3F76941716673C9F5&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=94C357A881DFC066&sid=EEAFC972BAD75B1F&eid=872F6C582A30BA57&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=7