%0 Journal Article
%T 固体C60/Si异质结的电学表征——整流特性、能带模型与温偏效应
%A 陈开茅
%A 贾勇强
%A 金泗轩
%A 吴克
%A 李传义
%A 顾镇南
%A 周锡煌
%J 物理学报
%D 1996
%I 
%X 研究了非掺杂固体C60与n-Si和与p-Si接触的电学性质,电流-电压(J-V)特性测量表明两种接触的导电极性相反,且都具有很强的整流作用,表明在两种接触界面附近存在着阻挡载流子输运的、性质不同的势垒.电流-温度(J-T)测量表明,电流与温度的倒数呈指数依赖关系,从中估算出C60/n-Si和C60/p-Si异质结的有效势垒高度分别为0.30和0.48eV.引进异质结的能带模型,成功地解释了上述测量结果,由能带模型和测量数据估算出以硅为衬底的
%K 碳60
%K 硅
%K 异质结
%K 电学性质
%K 能带
%K 整流
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7411BF4698E83734B4410CCC749820B6&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=94E7F66E6C42FA23&iid=0B39A22176CE99FB&sid=FDC7AF55F77D8CD4&eid=9F8C5EF901EA1E7E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=6