%0 Journal Article
%T AN XPS STUDY OF Mn THIN FILMS GROWN ON GaAs(001l) SURFACE<br>GaAs(001)表面外延生长Mn薄膜的XPS研究
%A XU MIN
%A ZHU XING-GUO
%A ZHANG MING
%A DONG GUO-SHENG
%A JIN XIAO-FENG
%A <br>徐敏
%A 朱兴国
%A 张明
%A 董国胜
%A 金晓峰
%J 物理学报
%D 1996
%I 
%X 利用x射线光电子能谱的深度剖面技术,对不同衬底温度下分子束外延生长的Mn薄膜及其与GaAs(001)衬底间的界面进行了元素组分和化学结合状态随深度变化的研究。实验发现衬底温度等于400K时制备的fcc-Mn/GaAs(001)体系中,fcc-Mn层与GaAs衬底之间存在一层较厚的Mn-Ga-As的缓冲层;衬底温度等于300K(室温)时制备的a-Mn/GaAs(001)体系中也存在类似的缓冲层,但它的厚度与fcc-Mn的情形相比要小得多;而当衬底温度等于450K时制备的体系在GaAs衬底之上全部是Mn-Ga
%K 砷化镓
%K 外延生长
%K 锰
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=7411BF4698E837347D4A2E8F5D0F202E&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=94E7F66E6C42FA23&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=6EEBEF38C7DFC97E&eid=01A9864A3FFB986F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2