%0 Journal Article
%T Cd(S,Se)薄膜的结构及退火环境对其电导性能的影响
%A 郑毓峰
%A 邓榕平
%A 查朝征
%A 戴伯荣
%A 石磊
%A 周贵恩
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 分析了两种Cd(S,Se)薄膜的结构特征.讨论了薄膜在不同退火环境中的电导率、迁移率和载流子浓度随退火温度的变化规律.结果表明,空气中退火的掺杂烧结膜电导率随退火温度升高而减小,主要由迁移率减小所致;氮气中退火的烧结膜电导率随退火温度升高而增大,主要是由载流子浓度增大引起的.蒸发膜在不同气氛下退火,电导都随温度升高而增大,同时迁移率和载流于浓度都有增加.在光激发下,氮气和空气中退火的掺杂烧结膜表现出相反的温度依赖关系.利用Seto模型计算的结果与实验值基本符合.
%K CdS
%K CdSe
%K 薄膜
%K 结构
%K 结构
%K 退火环境
%K 电导性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C3C513018138BAAB03&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=0B39A22176CE99FB&sid=4FE459D71E3BF8EB&eid=4E6F5C60B72D9B1C&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=3