%0 Journal Article
%T Ⅳ-Ⅵ族半导体材料磁场下的红外介电函数
%A 陆卫
%A 刘普霖
%A 沈学础
%A MvonOrtenberg
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 给出了经典极限下多能谷Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体在磁场下的红外介电函数的一般解析表达式,并通过与k·P模型的结合给出了红外介电函数的半经典处理途径。通过对典型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料PbTe红外介电函数的计算,讨论了能带非抛物性和载流子浓度在多能谷体系中的分布效应对红外介电函数的影响。
%K 半导体
%K 磁场
%K 红外介电函数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C38E1DF2A6EB248304&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=E158A972A605785F&sid=1C3BB0F444F5E427&eid=B7DE0F3CA34DA149&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2