%0 Journal Article
%T InGaAsP半导体激光器中的近简并四波混频
%A 曲林杰
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 对InGaAsP半导体激活层中的近简并四波混频进行了理论分析和数值计算.实验观察了在工作波长为1.53μm的InGaAsP分布反馈(DFB)半导体激光器和外色散腔(EDC)半导体激光器中的近简并回波混频.观察到了透射增益对频率失谐的明显的不对称性.实验结果证实了载流子寿命应为～200—300ps.
%K InGaAsP
%K 半导体激光器
%K 近简并四波混频
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C38A287FCD3D408DBE&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=38B194292C032A66&sid=09AA1448D1EAF9C1&eid=6B3068A7C27BD349&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=1