%0 Journal Article
%T 一种模拟多孔硅结构的新方法
%A 金耀辉
%A 陈永聪
%A 方容川
%A 张海峰
%A 李永平
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 以界面电化学反应动力学和离子输运动力学为基础,构造了一种多孔硅形成与结构的动态计算机模拟模型,模型中采用了电势的指数形式来表示化学反应概率。文中给出了与多孔硅的横断面透射电子显微镜(TEM)图谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)照片十分接近的形貌图示。
%K 硅
%K 多孔硅
%K 结构模拟
%K TEM
%K HRTEM
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C39E3841A0164A0ED2&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=E158A972A605785F&sid=C7461453A367FC85&eid=4720E9D07E8A2290&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0