%0 Journal Article
%T A STUDY OF SULFIDE TREATED InSb(111) SURFACES<br>InSb(111)表面硫处理的研究
%A DONG GUO-SHENG
%A LU CHUN-MING
%A LI ZHE-SHEN
%A WANG XUN
%A <br>董国胜
%A 陆春明
%A 李喆深
%A 王迅
%J 物理学报
%D 1992
%I 
%X 本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8?的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。
%K 表面
%K 硫处理
%K 钝化层
%K 锑化甸
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FAFF0D826B09621DBF00B417D0C980A1&yid=F53A2717BDB04D52&vid=2001E0D53B7B80EC&iid=B31275AF3241DB2D&sid=E1D875FA50925809&eid=42AB3C691163F5B1&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2