%0 Journal Article
%T A STUDY ON AS-GROWN SWIRL DEFECTS IN CZ SILICON CRYSTAL<br>直拉硅单晶原生漩涡缺陷的研究
%A DUAN PEI
%A GAO PING
%A TANG JI-YOU
%A <br>段沛
%A 高萍
%A 唐基友
%J 物理学报
%D 1987
%I 
%X 本文用化学腐蚀方法,从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000—6000?间的氧沉淀,制成萃取复型样品,用TEM对氧沉淀作微区电子衍射分析。同时,观察硅薄膜中漩涡缺陷的TEM象,确定了二者的对应关系。结果表明,构成漩涡缺陷的氧沉淀主要是呈方形片的热液石英(keatite,silicak)及少量呈六角片的α方英石(α-cristobalite),沉淀片周边沿<110>方向,惯习面前者的为{100},后者的为{111}。样品的红外吸收光谱表明,方片状热液石英沉淀可能与1224cm-1吸收峰相对应。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=914A3BD80D5FA465C98154DEE2FB3164&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=933658645952ED9F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=4CA738ADDC4F9A9D&eid=243DE6042D93E88B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0