%0 Journal Article
%T MULTILAYER ANALYSIS OF DAMAGE PROFILE IN ION IMPLANTED SILICON BY OPTICAL SPECTROMETRY<br>离子注入Si损伤分布的光谱法多层分析
%A HE XING-FEI
%A MO DANG
%A <br>何星飞
%A 莫党
%J 物理学报
%D 1986
%I 
%X 应用多层模型和最优化方法,由实验测得的离子注入Si的椭偏光谱以及单晶Si和离子注入非晶Si的光学常数,能分析离子注入Si的损伤分布。我们测量了2.1—4.6eV能量范围的椭偏光谱和光学常数,建立了多层计算模型和最优化方法。在模拟分析的基础上,计算了能量为40keV,剂量分别为4×1013和1.4×1014cm-2的As+注入Si的损伤分布,并与背散射测量的结果比较。用多层模型和最优化方法也能从光谱分析其它物理量的分布,只要这些物理量对光学性质有显著的影响,并且在测量过程中不随光子能量而改变。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2181C0FD80C30A4D7586C461FC7A0CCC&yid=4E65715CCF57055A&vid=6209D9E8050195F5&iid=59906B3B2830C2C5&sid=E30A3BF9610C35C9&eid=ECF40C1D1FB7C43B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0