%0 Journal Article
%T STUDY OF DEFECTS IN LOW-DOSE P+ IMPLANTED AND RAPID THERMAL ANNEALED SILICON<br>低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究
%A LI XIAO-LEI
%A LU FANG
%A SUN HENG-HUI
%A HUANG QING-HONG
%A <br>李晓雷
%A 陆昉
%A 孙恒慧
%A 黄庆红
%J 物理学报
%D 1992
%I 
%X 本文对低剂量磷离子注入硅经快速热退火后的缺陷特性进行研究。600℃退火就能基本激活注入离子。800℃以下退火样品中的缺陷主要是离子注入形成的辐射损伤缺陷。800℃以上退火样品中存在位错缺陷。位错的形成与离子注入引进的损伤和淬火过程中的热应力有关。1100℃退火样品中的缺陷浓度迅速增大,热应力在硅内部产生大量的滑移位错。
%K 磷
%K 离子注入
%K 退火
%K 硅
%K 缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0DA3073DAA73971814C0F8B596637D30&yid=F53A2717BDB04D52&vid=2001E0D53B7B80EC&iid=B31275AF3241DB2D&sid=80B081C203919926&eid=243DE6042D93E88B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=5