%0 Journal Article
%T α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究
%A 卢学坤
%A 侯晓远
%A 董国胜
%A 丁训民
%J 物理学报
%D 1992
%I 
%X 本文采用X射线光电子能谱、紫外光电子能谱和低能电子衍射对室温下P在GaAs(100)表面上的生长进行了研究。结果表明,在生长初期P是成团吸附的,随着淀积量的增加而生长成α-P薄膜,该薄膜的价带结构与等离子体淀积的α-P:H薄膜的价带结构相似。在界面处有约一单层的P与衬底表面的Ga成键。α-P覆盖层使GaAs表面势垒下降约0.2eV。
%K 砷化镓
%K 半导体
%K 界面
%K 光电子能谱
%K 磷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=1150A4EB01A57B379BC5957E1F523B9F&yid=F53A2717BDB04D52&vid=2001E0D53B7B80EC&iid=E158A972A605785F&sid=128B7AEF80A42C95&eid=A7379F6713A46835&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2