%0 Journal Article
%T A LEED STUDY OF ATOMIC STRUCTURE ON Si(113) SURFACE<br>Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究
%A XING YI-RONG
%A WU JI-AN
%A ZHANG JING-WNG
%A LIU CHI-ZI
%A WANG CHANG-HENG
%A <br>邢益荣
%A 吴汲安
%A 张敬平
%A 刘赤子
%A 王昌衡
%J 物理学报
%D 1992
%I 
%X 利用低能电子衍射(LEED)研究了离子轰击加退火处理的和淀积外延的两种Si(113)表面的原子结构。发现对于经750—800℃退火后的两种Si(113)表面,当其温度高于600℃时存在1×1非再构表面相。随着样品温度缓慢地冷却至室温,Si(113)-1×1表面经过3×1(约600—400℃)最后转变为3×2再构。当退火温度为600℃时,则只出现3×1再构,室温下的3×2和3×1表面都是很稳定的。讨论了表面杂质对Si(113)表面原子结构的影响。在衬底温度为580℃的Si(113)表面上进行淀积生长,当外延
%K 硅
%K 电子衍射
%K 原子结构
%K 低能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=35B290C9254CDBC161D872EC4C7769FA&yid=F53A2717BDB04D52&vid=2001E0D53B7B80EC&iid=708DD6B15D2464E8&sid=6C44E62EE1A19DA5&eid=FF9809C79A59DC74&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=3