%0 Journal Article
%T INVESTIGATION ON THE DEFECTS IN THE POST-DEFORM- ATION HYDROGEN-CHARGED POLYCRYSTALLINE PURE Co BY POSITRON ANNIHILATION<br>形变充氢多晶纯钴中缺陷的正电子湮没研究
%A PENG DONG-LIANG
%A WANG TIAN-MIN
%A TONG ZHI-SHEN
%A <br>彭栋梁
%A 王天民
%A 童志深
%J 物理学报
%D 1992
%I 
%X 用正电子寿命和多普勒线形参数测量技术,研究了形变和形变充氢多晶钴试样的缺陷性质及其回复行为。观察到形变样品阴极充氢后,氢致缺陷为一定量的位错和空位以及少量的空位团。没有观察到微空洞和微裂纹的产生。单空位的回复温度范围为73—260℃,位错和空位团的退火发生在350—670℃温度范围。测得空位的迁移激活能为Evm=1.09±0.07eV。
%K 氢
%K 多晶纯钴
%K 缺陷
%K 正电子湮没
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=347ED20CD32CB635B4C86077EA261038&yid=F53A2717BDB04D52&vid=2001E0D53B7B80EC&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=2D52C01434B71375&eid=CEBE8025959B35C7&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=6