%0 Journal Article
%T 大气中长期存放与长时间热氧化后多孔硅光致发光峰能量的会聚
%A 张伯蕊
%A 张丽珠
%A 宋海智
%A 姚光庆
%A 段家忯
%A 泰国刚
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 改变阳极氧化的工艺条件,制备出光致发光峰能量位于1.4—2.0eV范围内的大量多孔硅样品,其中45块样品在大气中存放一年,102块样品在200℃下热氧化(累计达200小时).在上述两种情况下,光致发光峰能量在氧化后都会聚到1.70—1.75eV能量范围.假设在充分氧化的多孔硅中包裹纳米硅的氧化层中,存在发光能量处于～1.70—1.75eV的发光中心,上述实验结果可以用量子限制/发光中心模型解释.
%K 光致发光
%K 多孔硅
%K 热氧化
%K 能量会聚
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C3F1E8BFCA3D1F7773&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=708DD6B15D2464E8&sid=BD667367F07B7EA7&eid=1BEFBCC38D61DE62&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=5