%0 Journal Article
%T SiOx∶H(0＜x＜2)薄膜光致发光的退火行为研究
%A 马智训
%A 廖显伯
%A 何 杰
%A 程文超
%A 岳国珍
%A 王永谦
%A 刁宏伟
%A 孔光临
%J 物理学报
%D 1998
%I 
%X 采用退火后处理的方法，使SiOx∶H(0＜x＜2)形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构.利用红外透射谱、Raman谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响.发现发光谱均由两个Gauss线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于835nm的伴峰不变.指出退火前在720—610nm的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大.而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷.1170℃退火后在850n
%K 纳米硅
%K 氧化硅
%K 薄膜
%K 光致发光
%K 退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=478BD5F0F36565A607BC5C8BFD71ACC3&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=F4B561950EE1D31A&iid=B31275AF3241DB2D&sid=BE9F677535B03A98&eid=FC27EB98080C89E6&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=6