%0 Journal Article
%T PROPERTIES OF MINORITY CARRIER TRAPS AND THE HOLE TRAPS IN SEMI-INSULATING LEC GaAs AFTER Si-AND Be-COIMPLANTATION<br>少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱
%A Chen Kai-mao
%A Jin Si-xuan
%A Qiu Su-juan
%A <br>陈开茅
%A 金泗轩
%A 邱素娟
%J 物理学报
%D 1994
%I 
%X 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ01（０．２９８），Ｅ02（０．３４１），Ｅ03（０．５５５）和Ｅ04（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇03（０．５４）和Ｈ″03（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。
%K 砷化镓
%K 离子注入
%K 少子陷阱
%K 空穴
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F14418B24F17D6C4147C2F452DE174E9&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=BE33CC7147FEFCA4&iid=5D311CA918CA9A03&sid=B3079604173FE132&eid=D98C4F25072149E5&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2