%0 Journal Article
%T EFFECT OF PHONON CONFINEMENT AND STRAIN ON RAMAN SPECTRA FROM LIGHT-EMITTING POROUS SILICON<br>空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响
%A YANG MIN
%A HUANG DA-MING
%A HAO PING-HAI
%A ZHANG FU-LONG
%A HOU XIAO-YUAN
%A WANG XUN
%A <br>杨敏
%A 黄大鸣
%A 郝平海
%A 张甫龙
%A 侯晓远
%A 王迅
%J 物理学报
%D 1994
%I 
%X 发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ－１附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的应变，与已报道的Ｘ射线衍射结果相一致。在多孔硅的喇曼光诸中没有观察到起源于非晶硅的光散射信号。
%K 多孔硅
%K 发光
%K 散射谱
%K 应变
%K 空间限制
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6BC3CB3AD13F58E46CE9D4F8E3EABE1A&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=BE33CC7147FEFCA4&iid=38B194292C032A66&sid=3F419E61BD389CC8&eid=E3C3E274D87A8C16&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=2