%0 Journal Article
%T THE DEEP LEVEL STUDIES OF n-Si/n+-Si INTERFACE IN SILICON DIRECT BONDING<br>硅直接键合界面附近的深能级研究
%A LU LI-WU
%A ZHOU JIE
%A FENG SONG-LIN
%A QIAN ZHAO-MING
%A PENG QING
%A <br>卢励吾
%A 周洁
%A 封松林
%A 钱照明
%A 彭青
%J 物理学报
%D 1994
%I 
%X 利用扩展电阻探针（ＳＲＰ）和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究了直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ+－Ｓｉ界面附近的深能级。实验结果表明，在直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ+－Ｓｉ界面ｎ－Ｓｉ一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱Ｅ１（Ｅｃ－０．３９ｅＶ）。Ｅ１可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的，其浓度在１０13－１０14ｃｍ-3之间。它可能是与制备键合材料的高温（１０００－１１００℃）处理
%K 硅
%K 键合
%K 界面
%K 能级
%K 直接键合
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=113552B7163B694B6A39C650FFEA453E&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=BE33CC7147FEFCA4&iid=94C357A881DFC066&sid=A1BB529A18D3A83E&eid=7B927C26AC9ED104&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=0