%0 Journal Article
%T THE EFFECT OF DEEP LEVEL TRAP ON PHOTO-TRANSIENT CHARACTERISTICS, EQUIVALENT NOISE CURRENT AND INCREMENT OF DRAIN CURRENT FOR FET<br>深能级陷阱对FET的光瞬态特性、等效噪声电流和漏电流升高的影响
%A WANG DE-NING
%A SHEN PENG-NIAN
%A WANG WEI-YUAN
%A <br>王德宁
%A 沈彭年
%A 王渭源
%J 物理学报
%D 1987
%I 
%X 本文基于位于准费密能级下深受主陷阱和剩余空穴,在平衡(无光照)和非平衡(有光照)条件下单位时间内空穴浓度变化率的微分方程基础上,导出了指数衰减理论方程,可很好地解释深能级对FET光脉冲瞬态特性的影响,指出了深能级是衰减长尾产生的根本原因,并测定了GaAs MESFET、GaAlAs TEGFET Si JFET的光脉冲瞬态特性,验证了理论模型的准确性。探讨了能级深度ET等因素对衰减曲线的影响。测定了上述三类器件的等效噪声电压与频率f之间的关系,应用文献6]的公式得出了相应的等效噪声
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6E9B2A7AD399649B0425306E83F2B501&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=933658645952ED9F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=8A87B19A95331EA5&eid=F82BA45C3E48287D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0