%0 Journal Article
%T THEORETICAL STUDIES ABOUT ELECTRONIC STRUCTURES OF Si3N4 AND Si QUANTUM DOTS<br>Si3N4Si量子点电子结构的理论研究
%A ZUO DU-LUO
%A LI DAO-HUO
%A <br>左都罗
%A 李道火
%J 物理学报
%D 1994
%I 
%X 采用经表面优化的对称球形团簇作Ｓｉ3Ｎ4，Ｓｉ晶态量子点的模型，利用紧束缚近似和ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法研究了它们的电子结构，给出了导带底和价带顶位置随量子点尺寸的变化。得到了３２８原子Ｓｉ3Ｎ4量子点、３２３原子Ｓｉ量子点的中心原子局域态密度及平均态密度，并讨论了态密度和光谱结构的关系，中心原子局域态密度能较好地描述量子点的光谱，这一点得到了实验结果的证实。
%K 量子点
%K 电子结构
%K 氮化硅
%K 硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2BC04F7FEA408E80EA87B87D9BE7E686&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=BE33CC7147FEFCA4&iid=38B194292C032A66&sid=D1D63D047E37A053&eid=4BEA9A781F286FC6&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=4