%0 Journal Article
%T A STUDY ON PROPERTIES OF Au-DOPED SILICON<br>掺金单晶硅特性的研究
%A CHEN MIN-RUI
%A SHEN YI-HUI
%A LIU SHI-YI
%A <br>陈敏锐
%A 沈华
%A 刘士毅
%J 物理学报
%D 1992
%I 
%X 本文研究单晶硅掺金前后的表面光伏和红外吸收谱,证实在相同表面状况下,红外吸收谱的基线与少子扩散长度的对应关系;由半导体统计,推导出简并因子不等于1时扩金硅的统计公式,以及金受主简并因子gAu,a≠1,金施主简并因子gAu,d≠1硅双重能级复合理论公式,由此计算的少子寿命值与测量值之比在1.64—0.745之间。
%K 单晶
%K 硅
%K 掺杂
%K 表面光伏
%K 红外吸收谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=C6284D0109BBA5F1B89821A7F289F0BA&yid=F53A2717BDB04D52&vid=2001E0D53B7B80EC&iid=38B194292C032A66&sid=ABF2590617D31FFD&eid=A03A15CF5604A8B0&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=2&reference_num=5