%0 Journal Article
%T 用HREELS,XPS,LEED研究Al-GaAs(100)(4×1)界面反应
%A 卢学坤
%J 物理学报
%D 1988
%I 
%X 高分辨率电子能量损失谱(HRFELS)能直接判定Al-GaAS(100)界面反应的生成物。本文结合X射线光电子能谱(XPS)的测量,采用HREELS来测量界面的禁带宽度,研究了Al-GaAs(100)(4×1)界面的形成过程。结果判定了室温下Al-GaAs(100)界面生成的为AlAs。而退火后,界面上生成AlCaAs合金。实验中还用低能电子衍射(LEED)观察了室温下Al在GaAs(100)(4×1)面上的淀积过程,发现随着Al淀积量的增加,表面是从无序到有序转化的。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=D05209DA2EB3033CE4ECCD615A96B85C&yid=0702FE8EC3581E51&vid=42425781F0B1C26E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8240BC26394E1210&eid=9D3954EE0D6BC193&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0