%0 Journal Article
%T STUDIES OF LATTICE DAMAGE CAUSED BY 1MeV Si+ IMPLANTATION INTO Al0.3Ga0.7As/GaAs SUPERLATTICES AND GaAs AT ELEVATED SUBSTRATE TEMPERATURE<br>1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究
%A LI DAI-QING
%A GONG BAO-AN
%A WAN YA
%A ZHU PEI-RAN
%A ZHOU JUN-SI
%A XU TIAN-BING
%A MU SHAN-MING
%A ZHAO QING-TAI
%A WANG ZHONG-LIE
%A <br>李岱青
%A 宫宝安
%A 万亚
%A 朱沛然
%A 周俊思
%A 徐天冰
%A 穆善明
%A 赵清太
%A 王忠烈
%J 物理学报
%D 1994
%I 
%X 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ0.3Ｇ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和ＡｌxＧａ1-xＡｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。
%K 超晶格
%K 离子注入
%K 损伤
%K MeV能区
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2BC04F7FEA408E809AF20BD2DE6A67F2&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=BE33CC7147FEFCA4&iid=5D311CA918CA9A03&sid=C02C1722E0B3854F&eid=E62D9AFED5C50734&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=5