%0 Journal Article
%T ELECTRONIC STRUCTURE OF STRAINED SUPERLATTICES (InAs)n(lnP)n(001):ab initio LMTO CALCULATION<br>应变层超晶格(InAs)n(InP)n(001)电子结构的LMTO计算
%A KE SAN-HUANG
%A WANG REN-ZHI
%A HUANG MEI-CHUN
%A <br>柯三黄
%A 王仁智
%A 黄美纯
%J 物理学报
%D 1993
%I 
%X 基于Linearized-Muffin-Tin Orbitals(LMTO)能带方法,采用内部求和计入空d轨道的处理,对(InAs)n(InP)n(001),(n=1,2,3)应变层超晶格的电子结构进行了第一性原理计算。得出了其能带结构,态密度分布(对n=1)。考察了In4d轨道对能带计算的影响,并采用冻结势方法求出了(InAs)n(InP)n(001),(n=1,2,3)的价带边不连续值△Ev。
%K 超晶格半导体
%K 应变
%K 电子结构
%K 计算
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DE574F04278B50ABDA0567E25174A29E&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=ECE8E54D6034F642&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=D9BD5E184C6E559D&eid=EDB2C8F3B92E3D13&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2