%0 Journal Article
%T CaAs(100)的(NH4)2Sx和P2S5/(NH4)2Sx表面钝化
%A 陈维德
%A 金高龙
%A 崔玉德
%A 段俐宏
%A 高志强
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用.
%K 砷化镓
%K 半导体
%K 表面钝化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C325F68A71185B2D04&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=5D311CA918CA9A03&sid=F016DE22306D4D4A&eid=C0C56F7E9227DF7D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=3