%0 Journal Article
%T MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH AND CHARACTERI-ZATION OF GexSi1-x/Si STRAINED-LAYER SUPERLATTICES<br>GexSi1-x/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究
%A ZHOU GUO-LIANG
%A SHENG CHI
%A FAN YONG-LIANG
%A JIANG WEI-DONG
%A YU MING-RBN
%A <br>周国良
%A 盛篪
%A 樊永良
%A 蒋维栋
%A 俞鸣人
%J 物理学报
%D 1993
%I 
%X 在Si(100)衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的GexSi1-x/Si应变层超晶格。用反射式高能电子衍射、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman。散射等测试方法研究了GexSi1-x/Si超晶格的生长及其结构特性。结果表明,对不同合金组份的超晶格,其最佳生长温度不同。x值小,生长温度高;反之,则要求生长温度低。对于x为0.1—0.6,在400—600℃的生长温度范围能够长成界面平整、
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=D66768393C295D91A994088F32821139&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=ECE8E54D6034F642&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=F88EF6DD822B0FF5&eid=A91C28383511878F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0