%0 Journal Article
%T 室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究
%A 赵特秀
%A 王晓平
%A 吴建新
%A 徐彭寿
%A 陆尔东
%A 许振嘉
%A 季航
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半
%K 磷化铟
%K 同步辐射
%K 光电子能谱
%K 催化
%K 氮化反应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C359EA224D120D9EAD&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=E158A972A605785F&sid=6837BC93241057EF&eid=3EABEBD973E45554&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0