%0 Journal Article
%T THE AVERAGE BOND ENERGY AND THE VALENCE-BAND EDGE OFFSET AT THE INTERFACE OF STRAINED SUPERLATTICE InAs/InP<br>应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性
%A KE SAN-HUANG
%A WANG REN-ZHI
%A HUANG MEI-CHUN
%A <br>柯三黄
%A 王仁智
%A 黄美纯
%J 物理学报
%D 1993
%I 
%X 采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)1(InP)1(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△Ev)的普遍适用的参考能级。研究了应变对
%K 超晶格半导体
%K 界面
%K 键能
%K 价带
%K 应变
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B0F4EAEB678BC6B9E46FF51E4084C614&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=ECE8E54D6034F642&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=C32BEECEF5323D34&eid=B7C6D333F9B9ED14&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2