%0 Journal Article
%T 测定半导体扩散层表面浓度、p-n结深度及扩散系数的霍耳效应法
%A 谢党
%J 物理学报
%D 1966
%I 
%X 本文叙述测定半导体扩散层表面浓度、P-n结深度及扩散系数的霍耳效应法。导出了求算半导体扩散层表面浓度、P-n结深度及扩散系数的一组积分公式。对砷由气相扩散入锗这一情况进行了详细研究:对上述公式进行数值积分并给出一系列图线,利用这些图线从实验值求得表面浓度等上述参数。实验表明:此法所测得的结深度和表面浓度分别与光干涉法直接测得的结深度和平均电导法测得的表面浓度,在误差范围内很好符合;而且此法所测得的扩散系数与B?senberg用电容法测得的也极为接近。扩散系数与温度的关系为D=2.3exp(-2.36/(kT)),当N0=1014厘米-3;D=1.7exp(-2.36/(kT)),当N0=1016厘米-3。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DC17CBE2A6D8B4EE&yid=C7EA1836BA194C9B&vid=BC12EA701C895178&iid=5D311CA918CA9A03&sid=A766A50385B9FB1F&eid=745C7FAEA69986C7&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0