%0 Journal Article
%T A THEORETICAL CALCULATION OF VALENCE-BAND OFFSETS AT HETEROJUNCTIONS<br>异质结价带边不连续△Ev的理论计算
%A WANG REN-ZHI
%A HUANG MEI-CHUN
%A <br>王仁智
%A 黄美纯
%J 物理学报
%D 1991
%I 
%X 本文采用基于密度泛函理论的LMTO-ASA能带从头计算方法,研究了超晶格界面附近的平均sp3杂化能Ez。数值计算结果表明,Ez是计算价带边不连续Ev值的一个合理参考能级,由此得到几种异质结的Ev值均与一些典型的理论计算方法所得结果以及实验结果符合较好。
%K 异质结
%K 价带边
%K △Eu
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=433445AE96601F02521ADF99E4FB9678&yid=116CB34717B0B183&vid=1371F55DA51B6E64&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=E652F68A3FDC0E89&eid=57133673016E56C3&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=4&reference_num=3