%0 Journal Article
%T STRESS DEPENDENCE OF DEFECT LEVELS IN SEMICONDUCTORS<br>半导体缺陷能级的应力效应
%A LI MING-FU
%A <br>李名復
%J 物理学报
%D 1985
%I 
%X 本文讨论用瞬态方法测量立方半导体缺陷能级应力移动和判别缺陷势对称性的有关问题。对于简并能级Es引入应力下分裂平均值Es,它具有原哈密顿群对称操作不变性,因此可以用群论方法得出应力系数间关系并用以判断缺陷势对称性。比如当缺陷势具有T群以上对称时,缺陷能级平均值ET相对导带底或价带顶单轴应力系数(?(Ec-ET))/(?F)或(?(ET-Ev))/(?F)与应力F方向无关且等于流体静压系数的1/3。也讨论了C3v对称缺陷势的情况。缺陷能级对导带的平均电子发射率en和俘获率cn满足简洁关系 en=gTgc-1cnN′ce(-(Ec-ET)/kT)。指出通过测量en的应力关系判断缺陷势对称性的各种方案比较。分析了用瞬态法测量en有关问题。当ET分裂但诸能级间允许跃迁时,瞬态讯号呈单指数衰减,时间常数为en-1。当ET分裂但诸能级间禁止跃迁时,瞬态讯号呈多指数衰减。用初始斜率可求得en。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B909075CDF2BF1310A40707D1C678E94&yid=74E41645C164CD61&vid=339D79302DF62549&iid=59906B3B2830C2C5&sid=B32C18974698DFB1&eid=784CFDF6185AED9D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0