%0 Journal Article
%T DV-Xa计算a-SiO2电子结构
%A 蔡军
%A 汪克林
%A 夏上达
%A 徐叙瑢
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 利用离散变分Ｘα（ＤＶ－Ｘα）的方法，非经验地计算非晶二氧化硅（ａ－ＳｉＯ２）电子结构，得到了与实验值较一致的结果，并研究ａ－ＳｉＯ２体结构畸变对ａ－ＳｉＯ２电子结构的影响。
%K 非晶二氧化硅
%K 电子结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C3118777717E763A6C&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=F88EF6DD822B0FF5&eid=A91C28383511878F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0