%0 Journal Article
%T 金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究
%A 赵子强
%A 韦伦存
%A 王浩
%A 张金宏
%A 钟运成
%A 卢希庭
%J 物理学报
%D 1997
%I 
%X 利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右
%K 金属颗粒
%K 半导体
%K 薄膜制备
%K 铜
%K 砷化镉
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=23BAA394FB154588283582F9FE18E47F&yid=5370399DC954B911&vid=D997634CFE9B6321&iid=94C357A881DFC066&sid=2D207DE75533FA7E&eid=8047434EAE0B2346&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=2