%0 Journal Article
%T 电致发光中SiO2加速层中电子的输运特性
%A 王文静
%A 徐叙瑢
%A 蔡军
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 研究作为电致发光的加速层的SiO_2中电子的输运行为.给出SiO_2层中陷阶辅助电荷输运的理论模型,并用实验对这一模型进行了验证.认为电致发光条件下SiO_1层中的电子在低场下是以陷阱跳跃的形式输运的,而在高场下陷阱中的电子离化进入导带.
%K 二氧化硅
%K 电致发光
%K 电子输运特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C3466FE2C01C266138&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=4E85BC78FC25985C&eid=D610BE6A5A0C75BF&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=8