%0 Journal Article
%T 镶嵌在SiO2薄膜中纳米GaAs颗粒的Raman散射研究
%A 石旺舟
%A 姚伟国
%A 戚震中
%A 何怡贞
%J 物理学报
%D 1995
%I 
%X 纳米GaAs颗粒通过射频磁控共溅法成功地被镶嵌在SiO_2薄膜中.通过不同基片温度下沉积的薄膜的Raman光谱观察到了明显的声子限域效应.其结果表明:当沉积时基片温度低于200℃时,X射线衍射和Raman散射均表现出非晶结构特征;当基片温度升高到300℃时,薄膜内的GaAs具有闪锌矿结构,同时其结构振动纵光学声子模对应的Raman散射峰将从非晶散射峰中分离出来,但同大块材料相比,该峰表现出明显的宽化和红移;随着沉积时的基片温度进一步提高,其宽化和红移相应地减小.
%K 纳米
%K 砷化镓
%K 二氧化硅薄膜
%K 拉曼散射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FCAE0A99323261C319C2B4EB22085BAC&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1AE5323881A5ECDC&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=B9196C90508452FE&eid=2613941CBDF71B5D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=2