%0 Journal Article
%T CHARGE TRANSFER AT In-Si (111) INTERFACE AND SURFACE ELECTROMIGRATION OF INDIUM ADATOMS<br>In-Si(111)界面上的电荷转移及铟原子的表面电致迁移现象
%A ZHOU JUN-MING
%A <br>周均铭
%J 物理学报
%D 1983
%I 
%X 用反射式高能电子衍射仪首次观察到在Si(111)面上的一部分铟吸附原子在直流电场下,沿电场方向发生迁移的现象——表面电致迁移。根据所观察到的表面电致迁移过程,可以把吸附在Si(111)面上的铟原子的结合状态分成两类:紧靠着硅表面的一个单原子层铟与硅表面结合牢固,几乎不受电场影响,称为紧固层;在紧固层以上的铟层易受电场影响而发生表面电致迁移,称为迁移层。从铟原子的表面电致迁移率与温度的关系,求得表面质量迁移的激活能为0.43eV。用表面电导测量研究了In-Si(111)界面形成过程中的电荷转移现象。结果表明,吸附在硅表面的铟原子形成表面深施主能级。导致表面电致迁移的力是离化了的铟原子在电场中所受到的库仑力。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=FAD557CF0D682F0B49DA0D43054432E4&yid=A7F20A391020FDEE&vid=9971A5E270697F23&iid=94C357A881DFC066&sid=DB7B2C790D19BE6E&eid=AEE2F90BC0DB5F35&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0