%0 Journal Article
%T 关于热电子发射理论的评述(Ⅰ)——对氧化物阴极的半导体模型的批判
%A 张恩虬
%J 物理学报
%D 1974
%I 
%X 二十多年来,我们从实践中发现,氧化物阴极的理论与实际之间存在着很多矛盾。本文从逸出功测量、吸收光谱、超额钡浓度、晶格结构、表面能级、涂层导电率、涂层电位分布、薄膜和厚涂层发射的比较、中间层电阻、发射的不均性、闪变噪声、脉冲电流不稳定性、电火花等方面的实验和论证,说明氧化物阴极并不是以超额钡为施主的电子型半导体。提出了表面发射中心的观点,并用它解释了氧化物阴极中的许多现象。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E019B1361B1C9096&yid=CF7717776B0449E1&vid=EA389574707BDED3&iid=94C357A881DFC066&sid=BE33CC7147FEFCA4&eid=286FB2D22CF8D013&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0