%0 Journal Article
%T THE PRESENCE OF Si-H BONDS IN Si SINGLE CRYSTALS AND ITS INFLUENCES<br>硅单晶中硅氢键的存在及其影响
%A CUI SHU-FAN
%A GE PEI-WEN
%A ZHAO YA-QIN
%A WU LAN-SHENG
%A <br>崔树范
%A 葛培文
%A 赵雅琴
%A 吴兰生
%J 物理学报
%D 1979
%I 
%X 通过红外吸收光谱的测定,证实了氢气氛浮区硅单晶中存在硅氢键,三个特征吸收峰在4.51,4.68和5.13μm波长处。根据有关的理论计算报道分析,认为氢原子在硅晶格中处于几种间隙位置。研究表明这种在晶体生长中形成的硅氢键对晶体完整性隐含着影响,并发现硅单晶中氢致缺陷的形成与硅氢键在高温下的断裂有密切关系。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B1A4B30292E780A9&yid=8C8371356FB4C85C&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=B31275AF3241DB2D&sid=4198A31627C9B2A6&eid=FC6FCA5A7559F1FB&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0