%0 Journal Article
%T MEASUREMENT OF THE IMPURITY DISTRIBUTION OF DIFFUSED LAYERS IN SILICON BY THE FOUR-POINT PROBE AND THE ANODIC OXIDATION TECHNIQUE<br>用四探针及阳极氧化方法测量硅中扩散层杂质分布
%A LING SHU-LEN
%A HUANG CHAANG
%A SHU BIENG-HUA
%A <br>林绪伦
%A 黄敞
%A 徐炳华
%J 物理学报
%D 1964
%I 
%X 本文讨论了:(1)用阳极氧化法在硅片表面去层的技术;(2)用四探针测量扩散层面电导的方法;(3)用阳极氧化去层及四探针测量面电导方法求得扩散层精细杂质分布。文中着重讨论了实验技术中的实际问题,如如何在阳极氧化过程中取得精细而均匀的去层(300—1500?);如何控制及测量去层厚度;测量面电导及杂质分布时的误差来源及减小误差的措施。以典型的磷在硅中扩散的杂质分布测量为例:扩散深度为4.9μm,测量间距为400—1600?,面电导测量误差估计小于3％,杂质分布误差估计小于20％。简单地提出了一些测量中尚待进一步解决的问题。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B2AEE42E048E3D35&yid=29B68C6EE36B014B&vid=A04140E723CB732E&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=5DD21DF25EF52D4A&eid=E4BEEBB9A80BC67E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0