%0 Journal Article
%T PROBLEM OF ELECTRON-PHONON COUPLING IN THE IMPURITY ABSORPTION BAND (II)<br>杂质中心吸收宽带的电声子耦合问题(Ⅱ)
%A GU SHI-JIE
%A <br>顾世杰
%J 物理学报
%D 1965
%I 
%X 在这篇文章中,我们用一维晶格模型讨论了杂质中心中电声子耦合强度的问题。用场论方法严格地解得了含杂质晶格之运动方程的本征函数。由此得到了电声子耦合强度的解析表示式,它是用声子的波数k、表示相互作用范围的参量λ以及杂质参量P=γ′/γ解析地表示出来的。其中γ′和γ分别为杂质与近邻之间和一般近邻之间的力常数。对结果的分析表明,只改变质量的杂质不影响电声子耦合;导致力常数变化的杂质对电声子耦合有显著的影响。当有奇的局域模出现时,在离子晶体中它对带宽的贡献可以比带内模的贡献大很多。尤其是在离子晶体中有可能出现所谓“临界散射”,这时带内模的贡献可能变得很小,而主要的贡献几乎全来自于局域模。相反地,在非极化晶体中,局域模的贡献一般是很小的。文中最后讨论了由一维模型得到的结论对于三维晶体可能有的意义。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=35A80A2CCF3C3DE4&yid=DCB97F70EF167067&vid=659D3B06EBF534A7&iid=E158A972A605785F&sid=872F6C582A30BA57&eid=0018E43E61963A72&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0