%0 Journal Article
%T THE POLYTYPISM OF SILICON CARBIDE<br>碳化硅的多型性
%A KUO CHANG-LIN
%A <br>郭常霖
%J 物理学报
%D 1965
%I 
%X 本文利用鉴定碳化硅多型体的“点间关系法”分析了一千一百多个碳化硅单晶体的劳埃照片。发现了61种碳化硅新多型体,其中六方晶胞c轴点阵常数最大的多型体1041R的点阵常数达2622.8?。至此碳化硅多型体的数目达110种,其中六方多型体30种,三方多型体80种。利用实验资料对现有的三种碳化硅多型体形成机理作了讨论,即1.螺型位错理论;2.生长环境因素理论和3.热力学理论。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F7414BE707145966&yid=DCB97F70EF167067&vid=659D3B06EBF534A7&iid=B31275AF3241DB2D&sid=4997AFD17F6FADE1&eid=E26AA41AE15D3061&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0